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產(chǎn)品分類products
半導(dǎo)體元器件參數(shù)測試儀
產(chǎn)品型號(hào)： IST878
所屬分類：半導(dǎo)體器件測試儀
產(chǎn)品時(shí)間：2024-05-07
簡要描述：自動(dòng)識(shí)別管腳極性和排序\漏電分辯1NA,高壓偏置1099V,阻抗測量1TΩ.\分立／在板檢測.世界上*臺(tái),*.
詳細(xì)說明：
IST870/IST878手持式
各種半導(dǎo)體器件快速檢測/參數(shù)分選測試儀
自動(dòng)識(shí)別管腳極性和排序漏電分辯1NA,高壓偏置1099V,阻抗測量1TΩ.分立／在板檢測.世界上*臺(tái),*.
（一）. IST870可對(duì)半導(dǎo)體各種元器件提供一個(gè)快速完整的檢驗(yàn),使用者可以任意方向及排列插入被測件（插錯(cuò)插反均可）,只需按下二個(gè)健即可快速測知該元件的功能好壞, 自動(dòng)識(shí)別各管腳的極性和排序及有無漏電流的可能性． 其主要的設(shè)計(jì)目的是針對(duì)一般的使用者不必對(duì)被測元件的規(guī)格參數(shù)及所須的條件有所認(rèn)識(shí),亦不須費(fèi)時(shí)的輸入各項(xiàng)測試數(shù)據(jù).
870的漏電流量測均是各元件在使用上zui常用且重要的參數(shù).計(jì)有下列各種:
三極管（Ices）:集電極至發(fā)射極間的漏電流,此時(shí)基極與發(fā)射極短路以避免電路板或線路上的雜迅干擾.
二極管（Er）:陽極至陰極反向偏壓時(shí)的漏電流.
模式管MOSFET（IDss）:由DRAIN極至SOURCE極間的漏電流,此時(shí)間極（GATE）SOURCE短路.
可控硅（IDRM）:由陽極至陰極正向偏壓的漏電流,當(dāng)此元件（閘流體）處于截止?fàn)顟B(tài)下場效應(yīng)管J-FET（IGss）:閘極反向偏壓的漏電流DRan,SOURCE短路.
光電偶合器（Iceo）:輸出端NPN三極管集電極至發(fā)射極間的漏電流,此時(shí)基極處于開路狀態(tài).
（二）. IST870在漏電流上的測試原理:是以固定低電壓源（30V）為偏壓,當(dāng)元件處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)加在其對(duì)應(yīng)的管腳上,另一端則串入一*靈敏度的電流計(jì),可由（nA）納安,（uA）微安至（mA）毫安共6檔,可全自動(dòng)換檔量程為0納安---40毫安.zui高分辯力１nＡ.
一般良好的半導(dǎo)體元件,當(dāng)加在其上的電壓接近或超越其崩潰電壓時(shí),其漏電流才會(huì)急促的加大.30V的電壓對(duì)一般中小功能的元件來說其漏電電流是很小很小的（<50na）,若測試結(jié)果達(dá)到微安（uA）或毫安（mA）級(jí),而已知的良品卻很小,對(duì)應(yīng)比較下,可大致確認(rèn)此被測件已呈老化（DEGENERATION）或處于擊穿（DEGRAKE）的狀態(tài),但在功能上還是能工作的不良品,此種元件工作一久,溫升加大,漏電流更大直至燒毀為止．因此半導(dǎo)體的漏電流大小是zui能影響其電路功效和使用年限,代表其品質(zhì)優(yōu)劣的主要因素,尤其對(duì)于一些用在高壓,高速開關(guān)上的元件至為重要.
該漏電流的上限可由同一型號(hào)已知的良品測量值為準(zhǔn)或參考元件的規(guī)格來判定. 870的漏電流測試由于電壓源的限制,可測知被測件有否漏電的問題,而不像878可測至一般良品的zui高耐壓或漏電流的極限值,此仍是二者在此功能上的zui大不同之處.
（三）. IST870除了對(duì)三極管,二極管,模式管場效應(yīng)管及可控硅,以300uS的脈沖,進(jìn)行動(dòng)態(tài)的功能測試,若測試通過,則自動(dòng)進(jìn)行漏電流測量,元件可任意的方向插入測試座,不必事先去辨認(rèn)元件各腳的功能極性或排列順序.相同的方式,對(duì)穩(wěn)壓二極管或正/負(fù)穩(wěn)壓源進(jìn)行輸出電壓的測量.由于870在價(jià)格上的優(yōu)勢及全自動(dòng)智能化的設(shè)計(jì),極適合一般技術(shù)維修人員操作,當(dāng)補(bǔ)拆下的懷疑元件放入測試后,可確信問題是否已被排除,做為一些維修站的基本配置勢必可行.
（四）. 當(dāng)元件被焊在電路板上時(shí)可以三點(diǎn)探測器進(jìn)行在線測試,此方式于表面粘的元件,首先須調(diào)整鑷子般的探筆,使其側(cè)置其上,以大姆指側(cè)壓筆身,食指置于筆上的按鍵上,再移動(dòng)短探棒至被測件的第三點(diǎn)上,當(dāng)確認(rèn)每點(diǎn)都通過或漏電流值太大時(shí)很有可能是由于線路上其他元件所造成,使用者須檢查電路圖或板上的連接狀況再下定論.在板檢測時(shí),870
上是以低壓進(jìn)行的,當(dāng)不用時(shí)探筆須折除以負(fù)影響.
IST878各種半導(dǎo)體器件快速檢測參數(shù)分選測試儀
（一）. IST878面板上的開關(guān)置于 FUNCTION 時(shí)它在使用上及各項(xiàng)功能就*與870相同,可快速便捷的檢測元件而不須對(duì)此元件各項(xiàng)參數(shù)及相關(guān)數(shù)據(jù)的了解,若須進(jìn)一步測試分析其他參數(shù)或須知參數(shù)在一特定條件下測量值時(shí),就必須將此開關(guān)置于 PARAMETER 上,則878成為半導(dǎo)體器件在截止?fàn)顟B(tài)下（OFF-STATE）的參數(shù)測量儀了,其可測試的參數(shù)如下:
| 元件種類 | 漏電流參數(shù) | 崩潰電壓 |
| 三極管 | Ices,Iceo,Icbo | BVces,BVceo, BVcbo |
| 二極管 | Ir | BVr |
| 模式管 | IGss, IDss | BVdss |
| 可控硅 | Idrm | BVdrm |
| 場效應(yīng)管 | IGss,IDss | N/A |
| 光偶合器 | Iceo | N/A |
本機(jī)在此時(shí)其電流計(jì)的精度,范圍與檔位*與870相同由0nA（納安）-40mA（毫安）共6檔.偏壓電壓,為二種*可程控的電壓源0-30V,及30V-1099V.
（二）. IST878在測漏電流時(shí),本機(jī)要求輸入偏壓有高電壓檔的（30V-1099V）及（0-30V）的低電壓,由（0nA-40mA）,使用者須對(duì)被測件的規(guī)格指標(biāo)有一定的了解,以便測知其zui大極限值,若所給的電壓過高多余降在限流電阻上,所以實(shí)際加在元件上的電壓與使用者先設(shè)定的電壓會(huì)有不同,但本機(jī)會(huì)將此電壓與流過的漏電流實(shí)際量測顯示出來,以提供zui真實(shí)精確的結(jié)果.在崩潰電壓的測量過程中由于所設(shè)定的電流值過高,以致高壓源升得過高而造成元件的二次崩潰,本機(jī)可自動(dòng)偵測并實(shí)際量測出來,如此可以避免由于使用者輸入過高的測試條件而造成被測件或儀器的受損.
（三）. 當(dāng)面板上的開關(guān)置于功能上時(shí)STL878就變?yōu)?的870,所有的功能及操作方式都相同,若置于參數(shù)這邊,則878就為一個(gè)功能強(qiáng)大的21種參數(shù)測量儀,如果測試結(jié)果的上限或下限數(shù)據(jù)被輸入本機(jī)的話,則它可成為一個(gè)自動(dòng)辨別好與壞的測試儀.（GO/NO GO TESTER）.878除了可程控的偏壓可達(dá)1.099VOLT的漏電流量測及快速的崩潰電壓搜尋外,尚可量二極管在50mA-1A的恒電流源下的導(dǎo)通壓降（Vf ILEAK）此項(xiàng)功能測量任二點(diǎn)的漏電流數(shù)值同時(shí)顯示所加在其上的電壓,由此二數(shù)據(jù)可由歐姆定律R=V/I 算出此二點(diǎn)間的阻值.因此可用于偵測在某一設(shè)定的偏壓下任二點(diǎn)的漏電流,或可測量一個(gè)器材或設(shè)備的輸入阻抗（1T歐）.如;線纜,探頭,開關(guān),電路板,聯(lián)接器,絕緣材料等.
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