IST8800提供了40種測量參數(shù)，它們分別為：
·三極管：Icbo,lceo,lebo,Bvcbo,Bvebo,Bvceo,Vce（sat）VbeHfe，Icer,1Cesm，Icev,BVCer，BvceS,Bvcev；
·二極管：Ir,BVr,Vr·齊納二極管：BVz,lzr,Vzr,Vzf  J—FET：Idss；Igss,BVgss,gm，SCR&TRIAC：+/|lgt,+/|vgt  
·穩(wěn)壓器：+/_VO,+lib，△V  MOS-PET：Idss，Igss,BVdss,Vgs（th）
性能特點：·后備電池的CMOS RAM，提供56個不同測試程序的參數(shù)與數(shù)據(jù)的存儲功能·全部可編程的DUT恒流源和電壓源
· 300μS脈沖測試或直流測試·內(nèi)置繼電器矩陣提供更加靈活并且準(zhǔn)確的測量·軟件自校準(zhǔn)功能·內(nèi)部自動保護電路在DUT加電前，檢測開路、短路，PH結(jié)反向，辨別器件類型（NPN或PNP、P-溝道或N-溝道），校驗正確的連接·測試分辨率小到0.1nA電流，大到1200V電壓

·重復(fù)“回路”式測試解決了元件發(fā)熱與間歇的問題。

技術(shù)規(guī)格：

參數(shù)規(guī)范： 漏電流：三極管 icbo,iceo,icev,ices,ice r二極 izr           J/MOS-FET 柵極電壓： idss
測試范圍
分辨率
精度
測試條件
0 ～ 2mA
1μA
+/-1%
0 ～ 600V*
0 ～ 20μA
10nA
+/-1%
0 ～ 600V*
0 ～ 2μA
1nA
+/-1%
0 ～ 600V*
0 ～ 200μA
0.1nA
+/-3%
0 ～ 600V*
  
擊穿電壓：三極管 Bvcbo,Bvceo,Bvebo,Bvcev,Bvces,Bvcer,          齊納二極管 Vzr J/MOS場效應(yīng)管BVgss/bvdss
測試范圍
分辨率
精度
測試條件
0 ～ 30V
0.15V
+/-1%
0 ～ 10 mA
30 ～ 600V
3V
+/-2%
0 ～ 2 mA
 
正向?qū)妷海喝龢O管 Vce（sat）Vbe（sat）二極管Vf            J/MOS 場效應(yīng)管Vgs（th） 極管Bvr齊納管Vzf
測試范圍
分辨率
精度
測試條件
0 ～ 4V
1 mV
+/-1%
0 ～ 5A（1c.1f）
0 ～ 15V
1 mV
+/-2%
0 ～ 1A（1b）
 
三極管電流增益 Hfe
測試范圍
分辨率
精度
測試條件
0 ～ 9999
1
+/-2%
0 ～ 10（Vce）
 
 
 
0.5mA ～ 5A（lc）
 
齊納二極管反向擊穿壓BVz
測試范圍
分辨率
精度
測試條件
0 ～ 4V
1mV
+/-1%
0 ～ 0.5A
4 ～ 60V
15mV
+/-1%
0 ～ 0.5A
 
J/MOS場效應(yīng)管lgss，穩(wěn)壓器靜態(tài)電流+/-lgt
測試范圍
分辨率
精度
測試條件
0 ～ 200 mA
0.1 mA
+/-1%
0 ～ 30V
0 ～ 20 mA
1μA
+/-1%
0 ～ 30V
0 ～ 2μA
10 nA
+/-1%
0 ～ 30V
0 ～ 2μA
1 nA
+/-2%
0 ～ 30V
 
J型場效應(yīng)管跨導(dǎo)gm
測試范圍
分辨率
精度
測試條件
0 ～ 99mMHo
0.05 mMHo
+/-1%
0 ～ 30V
0 ～ 99μMHo
0.05μMHo
+/-1%
0 ～ 30V
0 ～ 99nMHo
0.05 nMHo
+/-2%
0 ～ 30V
 
可控硅管和三端雙向可控硅管觸發(fā)電流 +/-lgt
測試范圍
分辨率
精度
測試條件
0 ～ 1A
5 mA
+/-1%
0.9 ～ 5V
0 ～ 100 mA
0.5 mA
+/-1%
0.9 ～ 5V
0 ～ 10 mA
50μA
+/-1%
0.9 ～ 5V
0 ～ 1 mA
5μA
+/-1%
0.9 ～ 5V
0 ～ 1μA
0.5μA
+/-1%
0.9 ～ 5V
 
可控硅管和三端雙向可控硅管擎住電流 lh
測試范圍
分辨率
精度
測試條件
0 ～ 200 mA
1 mA
+/-1%
0.9 ～ 5V
 
可控硅管和三端雙向可控硅管觸發(fā)電壓 +/-Vgt、穩(wěn)壓器輸出電壓+/-Vo、穩(wěn)壓器電壓差△V
測試范圍
分辨率
精度
測試條件
0 ～ 4V
1 mV
+/-1%
0 ～ 30V
4 ～ 40V
10 mV
+/-1%
0 ～ 30V